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Spécifications

Modèle de produit

CSD19533Q5AT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-VSONP (5x6)
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.2W (Ta), 96W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

296-44472-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "CSD19533Q5AT".

CSD19536KTTT

La description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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