CSD19535KTT

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Spécifications

Modèle de produit

CSD19535KTT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DDPAK/TO-263-3
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Autres noms

296-45538-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

2 (1 Year)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7930pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

200A (Ta)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "CSD19535KTT".

CSD19532Q5BT

La description: MOSFET N-CH 100V 100A VSON

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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