CSD19536KCS

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Spécifications

Modèle de produit

CSD19536KCS
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V TO-220
État sans plomb / État RoHS

Demande de vérification d'inventaire / conforme RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

375W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

296-37289-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Request inventory verification / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

150A (Ta)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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CSD1FPCHEVM-890

La description: P-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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