CSD19531KCS

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Spécifications

Modèle de produit

CSD19531KCS
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)

214W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

296-37480-5
CSD19531KCS-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3870pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Ta)

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CSD19505KTTT

La description: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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