CSD19532KTT

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Spécifications

Modèle de produit

CSD19532KTT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Test

5060pF @ 50V
Tension - Ventilation

DDPAK/TO-263-3
Vgs (th) (Max) @ Id

5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (Max)

6V, 10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

NexFET™
État RoHS

Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200A (Ta)
Polarisation

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

296-44970-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

2 (1 Year)
Délai de livraison standard du fabricant

13 Weeks
Référence fabricant

CSD19532KTT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

57nC @ 10V
type de IGBT

±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.2V @ 250µA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100V
Ratio de capacité

250W (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "CSD19532KTT".

CSD19506KTTT

La description: IC MOSFET N-CH 80V TO-220

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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