CSD19501KCS

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Spécifications

Modèle de produit

CSD19501KCS
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 80V 100A TO220
État sans plomb / État RoHS

Demande de vérification d'inventaire / conforme RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)

217W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

296-37286-5
CSD19501KCS-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Request inventory verification / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

80V
Description détaillée

N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Ta)

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