CSD19502Q5BT

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Spécifications

Modèle de produit

CSD19502Q5BT
Fabricant / marque

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-VSON-CLIP (5x6)
Séries

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta), 195W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

296-44043-1
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4870pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

80V
Description détaillée

N-Channel 80V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Ta)

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