STW19NM65N

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Spécifications

Modèle de produit

STW19NM65N
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STW19NM65N.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 7.75A, 10V
Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-7033-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

15.5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STW19NM65N".

STW200NF03

La description: MOSFET N-CH 30V 120A TO-247

Fabricant: STMicroelectronics

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