STW19NM50N

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Spécifications

Modèle de produit

STW19NM50N
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STW19NM50N.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-10653-5
STW19NM50N-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 14A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

14A (Tc)

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STW19NM65N

La description: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247

Fabricant: STMicroelectronics

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