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STW18N60DM2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STW18N60DM2
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 12A
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    MDmesh™ DM2
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    295 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    90W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    497-16340-5
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    800pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    12A (Tc)
0805Y2500273JXR

0805Y2500273JXR

La description: CAP CER 0.027UF 250V X7R 0805

Fabricant: Knowles Syfer
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