STW200NF03

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Spécifications

Modèle de produit

STW200NF03
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STW200NF03.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)

350W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 120A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

120A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STW200NF03".

STW20NK70Z

La description: MOSFET N-CH 700V 20A TO-247

Fabricant: STMicroelectronics

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