APT77N60BC6

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Spécifications

Modèle de produit

APT77N60BC6
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT77N60BC6.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 2.96mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 44.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

481W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 77A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

77A (Tc)

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livraison
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APT75GN60LDQ3G

La description: IGBT 600V 155A 536W TO264

Fabricant: Microsemi

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