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APT75GP120B2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT75GP120B2G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT75GP120B2G.pdf
    2.APT75GP120B2G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1200V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 75A
  • Condition de test
    600V, 75A, 5 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    20ns/163ns
  • énergie de commutation
    1620µJ (on), 2500µJ (off)
  • Séries
    POWER MOS 7®
  • Puissance - Max
    1042W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3 Variant
  • Autres noms
    APT75GP120B2GMI
    APT75GP120B2GMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    23 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    PT
  • gate charge
    320nC
  • Description détaillée
    IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    300A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT75GP120B2G".
CMF553K8300FKEK

CMF553K8300FKEK

La description: RES 3.83K OHM 1/2W 1% AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay
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