APT75GT120JU2

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Spécifications

Modèle de produit

APT75GT120JU2
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 100A 416W SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT75GT120JU2.pdf
2.APT75GT120JU2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur

SOT-227
Séries

-
Puissance - Max

416W
Package / Boîte

ISOTOP
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100A
Configuration

Single

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "APT75GT120JU2".

APT75M50B2

La description: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Fabricant: Microsemi

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