APT8020B2LLG

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Spécifications

Modèle de produit

APT8020B2LLG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT8020B2LLG.pdf
2.APT8020B2LLG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

T-MAX™ [B2]
Séries

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max)

694W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 38A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

38A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT8020B2LLG".

APT80GA60B

La description: IGBT 600V 143A 625W TO247

Fabricant: Microsemi

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