APT70GR65B2SCD30

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Spécifications

Modèle de produit

APT70GR65B2SCD30
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A
Condition de test

433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

19ns/170ns
Package composant fournisseur

T-MAX™ [B2]
Séries

*
Puissance - Max

595W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
type de IGBT

NPT
gate charge

305nC
Description détaillée

IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

260A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

134A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT70GR65B2SCD30".

APT68GA60LD40

La description: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Fabricant: Microsemi

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