APT70GR120JD60

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Spécifications

Modèle de produit

APT70GR120JD60
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 112A 543W SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT70GR120JD60.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A
Package composant fournisseur

SOT-227
Séries

-
Puissance - Max

543W
Package / Boîte

SOT-227-4
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

7.26nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1.1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

112A
Configuration

Single

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livraison
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APT70SM70S

La description: POWER MOSFET - SIC

Fabricant: Microsemi

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