Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT70GR120B2
Demander une offre en ligne
Français
4807466APT70GR120B2 imageMicrosemi

APT70GR120B2

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
60+
$12.522
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    APT70GR120B2
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 1200V 160A 961W TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1200V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 70A
  • Condition de test
    600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    33ns/278ns
  • énergie de commutation
    3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    961W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    NPT
  • gate charge
    544nC
  • Description détaillée
    IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    280A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    160A
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

La description: IGBT 600V 198A 833W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT68GA60B

APT68GA60B

La description: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT66M60L

APT66M60L

La description: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70GR65B

APT70GR65B

La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70GR120L

APT70GR120L

La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT66F60L

APT66F60L

La description: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT6M100K

APT6M100K

La description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Fabricant: Microsemi
En stock
APT66M60B2

APT66M60B2

La description: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70SM70B

APT70SM70B

La description: POWER MOSFET - SIC

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi
En stock
APT65GP60J

APT65GP60J

La description: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70GR120J

APT70GR120J

La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

La description: MOD DIODE 1700V SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT66F60B2

APT66F60B2

La description: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70SM70J

APT70SM70J

La description: POWER MOSFET - SIC

Fabricant: Microsemi
En stock
APT70SM70S

APT70SM70S

La description: POWER MOSFET - SIC

Fabricant: Microsemi
En stock
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

La description: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

La description: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock

Review (1)

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter