APT75DQ100BG

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Spécifications

Modèle de produit

APT75DQ100BG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT75DQ100BG.pdf
2.APT75DQ100BG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

75A
Tension - Ventilation

TO-247 [B]
Séries

-
État RoHS

Tube
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

TO-247-2
Autres noms

APT75DQ100BGMI
APT75DQ100BGMI-ND
Température d'utilisation - Jonction

250ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

22 Weeks
Référence fabricant

APT75DQ100BG
Description élargie

Diode Standard 1000V (1kV) 75A Through Hole TO-247 [B]
Configuration diode

100µA @ 1000V
La description

DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
Courant - fuite, inverse à Vr

3V @ 75A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1000V (1kV)
Capacité à Vr, F

-55°C ~ 175°C

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Ce qui suit est des produits liés à "APT75DQ100BG".

APT70GR65B2SCD30

La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricant: Microsemi

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