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APT27GA90BD15

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT27GA90BD15
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 900V 48A 223W TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    900V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 14A
  • Condition de test
    600V, 14A, 10 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    9ns/98ns
  • énergie de commutation
    413µJ (on), 287µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247 [B]
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    223W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    APT27GA90BD15MI
    APT27GA90BD15MI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    29 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    PT
  • gate charge
    62nC
  • Description détaillée
    IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B]
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    79A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    48A
APT25M100J

APT25M100J

La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT29F100L

APT29F100L

La description: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT29F80J

APT29F80J

La description: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT28F60S

APT28F60S

La description: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

La description: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

La description: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

La description: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

La description: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT28F60B

APT28F60B

La description: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT2X100D100J

APT2X100D100J

La description: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
APT26F120L

APT26F120L

La description: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT28M120L

APT28M120L

La description: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT25SM120B

APT25SM120B

La description: POWER MOSFET - SIC

Fabricant: Microsemi
En stock
APT25SM120S

APT25SM120S

La description: POWER MOSFET - SIC

Fabricant: Microsemi
En stock
APT29F100B2

APT29F100B2

La description: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

La description: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT26F120B2

APT26F120B2

La description: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

La description: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Fabricant: Diodes Incorporated
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APT28M120B2

APT28M120B2

La description: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Fabricant: Microsemi
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APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

La description: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Fabricant: Microsemi
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