APT26M100JCU2

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Spécifications

Modèle de produit

APT26M100JCU2
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT26M100JCU2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-227
Séries

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

396 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)

543W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7868pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

305nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 26A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

26A (Tc)

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livraison
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APT28F60S

La description: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Fabricant: Microsemi

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