APT25SM120B

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Spécifications

Modèle de produit

APT25SM120B
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MOSFET - SIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
La technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur

TO-247
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

175 mOhm @ 10A, 20V
Dissipation de puissance (max)

175W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

20V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

25A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT25SM120B".

APT27HZTR-G1

La description: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Fabricant: Diodes Incorporated

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