APT29F80J

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Spécifications

Modèle de produit

APT29F80J
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT29F80J.pdf
2.APT29F80J.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max)

543W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9326pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

303nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 31A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

31A (Tc)

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livraison
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APT2X100D60J

La description: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Fabricant: Microsemi

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