1N5622

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Spécifications

Modèle de produit

1N5622
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5622.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

A, Axial
Température d'utilisation - Jonction

2µs
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Référence fabricant

1N5622
Description élargie

Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole
Configuration diode

500nA @ 1000V
La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.3V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1000V (1kV)
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 200°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "1N5622".

1N5622GP-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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