1N5620C.TR

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Spécifications

Modèle de produit

1N5620C.TR
Fabricant / marque

Semtech
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

1N5620C.TR.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

800V
Package composant fournisseur

Axial
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

Not Applicable
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Type de diode

Avalanche
Description détaillée

Diode Avalanche 800V 2A Through Hole Axial
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

2A
Capacité à Vr, F

23pF @ 5V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "1N5620C.TR".

1N5619US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricant: Microsemi

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