1N5621US

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Spécifications

Modèle de produit

1N5621US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5621US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.6V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

800V
Package composant fournisseur

D-5A
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

300ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, A
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

20pF @ 12V, 1MHz

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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1N5619US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

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