1N5622US

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Spécifications

Modèle de produit

1N5622US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5622US.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Tension - Ventilation

D-5A
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

SQ-MELF, A
Température d'utilisation - Jonction

2µs
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Référence fabricant

1N5622US
Description élargie

Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
Configuration diode

500nA @ 1000V
La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Courant - fuite, inverse à Vr

1.3V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1000V (1kV)
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 200°C

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Ce qui suit est des produits liés à "1N5622US".

1N5623

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation

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