STW50N65DM2AG

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Spécifications

Modèle de produit

STW50N65DM2AG
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 28A
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STW50N65DM2AG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247
Séries

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

87 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-16138-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 28A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

28A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STW50N65DM2AG".

STW48N60M2-4

La description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4

Fabricant: STMicroelectronics

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