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STW4N150

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Spécifications

Modèle de produit

STW4N150
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STW4N150.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

160W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-5092-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1500V
Description détaillée

N-Channel 1500V 4A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STW4N150".

STW55NM60N

La description: MOSFET N-CH 600V 51A TO-247

Fabricant: STMicroelectronics

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