STP7NB60

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Spécifications

Modèle de produit

STP7NB60
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 7.2A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

STP7NB60.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-2761-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1625pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 7.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.2A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STP7NB60".

STP80N10F7

La description: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Fabricant: STMicroelectronics

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