STP80N10F7

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Spécifications

Modèle de produit

STP80N10F7
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STP80N10F7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-14834-5
STP80N10F7-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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STP7NM80

La description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220

Fabricant: STMicroelectronics

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