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STP7N80K5

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STP7N80K5
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 800V 6A TO220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STP7N80K5.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220
  • Séries
    SuperMESH5™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    110W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    497-13589-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    360pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    13.4nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    800V
  • Description détaillée
    N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    6A (Tc)

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71980

71980

La description: BIT HEX TR 2.5MM 0.98"

Fabricant: Wiha
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