STGWT40H65FB

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Spécifications

Modèle de produit

STGWT40H65FB
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGWT40H65FB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A
Condition de test

400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

40ns/142ns
énergie de commutation

498mJ (on), 363mJ (off)
Package composant fournisseur

TO-3P
Séries

-
Puissance - Max

283W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms

497-14230-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

210nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

160A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

80A

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STGWT40H65DFB

La description: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

Fabricant: STMicroelectronics

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