STGWT30H65FB

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Spécifications

Modèle de produit

STGWT30H65FB
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 650V 30A 260W TO3PL
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGWT30H65FB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A
Condition de test

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

37ns/146ns
énergie de commutation

151µJ (on), 293µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-3P
Séries

-
Puissance - Max

260W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms

497-14468-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

149nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 30A 260W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

120A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

30A

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STGWT40H65DFB

La description: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

Fabricant: STMicroelectronics

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