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STGWT60V60DF

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STGWT60V60DF
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 80A 375W TO3P
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STGWT60V60DF.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 60A
  • Condition de test
    400V, 60A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    60ns/208ns
  • énergie de commutation
    750µJ (on), 550µJ (off)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    74ns
  • Puissance - Max
    375W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Autres noms
    497-13836-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    334nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    240A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    80A

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Ce qui suit est des produits liés à "STGWT60V60DF".
9T08052A1503BBHFT

9T08052A1503BBHFT

La description: RES SMD 150K OHM 0.1% 1/8W 0805

Fabricant: Yageo
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