STGWT20HP65FB

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Spécifications

Modèle de produit

STGWT20HP65FB
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

1.STGWT20HP65FB.pdf
2.STGWT20HP65FB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A
Condition de test

400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

-/139ns
énergie de commutation

170µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-3P
Séries

HB
Temps de recouvrement inverse (trr)

140ns
Puissance - Max

168W
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

120nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 40A 168W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

80A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

40A

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livraison
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STGWA80H65DFB

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Fabricant: STMicroelectronics

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