STGWA75M65DF2

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Spécifications

Modèle de produit

STGWA75M65DF2
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STGWA75M65DF2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A
Condition de test

400V, 75A, 3.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

47ns/125ns
énergie de commutation

690µJ (on), 2.54mJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247 Long Leads
Séries

M
Temps de recouvrement inverse (trr)

165ns
Puissance - Max

468W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-16975
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

225nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 468W Through Hole TO-247 Long Leads
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

225A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

120A

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "STGWA75M65DF2".

SIT1602BI-12-25S-66.666600E

La description: -40 TO 85C, 2520, 25PPM, 2.5V, 6

Fabricant: SiTime

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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