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STD11N60DM2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STD11N60DM2
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.STD11N60DM2.pdf
    2.STD11N60DM2.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    DPAK
  • Séries
    MDmesh™ DM2
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    420 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    110W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    497-16925-1
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    614pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    16.5nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    10A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STD11N60DM2".
HMC218BMS8GE

HMC218BMS8GE

La description: IC MMIC MIXER DBL-BAL 8MSOP

Fabricant: ADI (Analog Devices, Inc.)
En stock
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