STD11NM60N-1

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Spécifications

Modèle de produit

STD11NM60N-1
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STD11NM60N-1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

90W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

497-5963-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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STD11NM60N

La description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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