STD10P6F6

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Spécifications

Modèle de produit

STD10P6F6
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STD10P6F6.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-13424-1
Température de fonctionnement

175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 48V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "STD10P6F6".

STD11N50M2

La description: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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