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STB8N65M5

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Spécifications
  • Modèle de produit
    STB8N65M5
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    STB8N65M5.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D2PAK
  • Séries
    MDmesh™ V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    70W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    497-10875-2
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    690pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    7A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STB8N65M5".
EBC12DRMN-S288

EBC12DRMN-S288

La description: CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.100

Fabricant: Sullins Connector Solutions
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