STB8NM60D

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Spécifications

Modèle de produit

STB8NM60D
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB8NM60D.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

100W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

497-5244-2
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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STB9NK60ZDT4

La description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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