STB80NF55-08-1

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Spécifications

Modèle de produit

STB80NF55-08-1
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

STB80NF55-08-1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK
Séries

STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

497-3516-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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STB85NF55T4

La description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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