STB7NK80Z-1

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Spécifications

Modèle de produit

STB7NK80Z-1
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB7NK80Z-1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK
Séries

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1138pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.2A (Tc)

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STB75N20

La description: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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