STB7ANM60N

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Spécifications

Modèle de produit

STB7ANM60N
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STB7ANM60N.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250mA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

45W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

497-13935-2
STB7ANM60N-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5A (Tc)

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livraison
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STB75N20

La description: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Fabricant: STMicroelectronics

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