2N2222A

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Spécifications

Modèle de produit

2N2222A
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N2222A.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 150mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-18
Séries

-
Puissance - Max

500mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Autres noms

497-2598
497-2598-5
497-2598-5-ND
Température de fonctionnement

175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

300MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 500mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

600mA
Numéro de pièce de base

2N2222

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2N2222

La description: DIE TRANS NPN MED PWR GEN PURP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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