2N2222AE3

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Spécifications

Modèle de produit

2N2222AE3
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

SMALL-SIGNAL BJT
État sans plomb / État RoHS

Conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N2222AE3.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-18
Séries

-
Statut RoHS

RoHS Compliant
Puissance - Max

500mW
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

800mA

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2N2222A

La description:

Fabricant: STMicroelectronics

En stock

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