2N2222AE4

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Spécifications

Modèle de produit

2N2222AE4
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

2N2222AE4.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-18
Séries

-
Puissance - Max

500mW
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

800mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2N2222AE4".

2N2222AUBTXV

La description: TRANS NPN 50V 0.8A SMT

Fabricant: Optek Technology / TT Electronics

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