1N6625E3

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Spécifications

Modèle de produit

1N6625E3
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Tension - Ventilation

A, Axial
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

A, Axial
Température d'utilisation - Jonction

80ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

1N6625E3
Description élargie

Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
Configuration diode

1µA @ 1000V
La description

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.95V @ 1.5A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1100V (1.1kV)
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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1N6629

La description: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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