1N6623US

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Spécifications

Modèle de produit

1N6623US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N6623US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.55V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

880V
Package composant fournisseur

A-MELF
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

50ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, A
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 880V 1A Surface Mount A-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 880V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

10pF @ 10V, 1MHz

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1N6626

La description: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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